SS0530 vs BSS126H6327XTSA2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ SS0530 بواسطة Panjit و BSS126H6327XTSA2 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل SS0530 BSS126H6327XTSA2
العلامة التجارية Panjit Infineon
الفئة Diodes MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Panjit International Inc. —
Part Number SS0530 (ordering code SS0530_R1_00001) —
Device Type Schottky Barrier Diode —
Configuration Single Single
العلبة SOD-123 SOT-23-3 (PG-SOT23)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 30 V —
Maximum DC Blocking Voltage (VR) 30 V —
Maximum Average Rectified Forward Current (IF(AV)) 0.5 A —
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) 5.0 A —
Forward Voltage Drop (Vf) [DATA_NEEDED: Vf at rated IF] —
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: IR at rated VR] —
نطاق درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +150 C (typical for SOD-123 Schottky, verify per datasheet) —
Storage Temperature Range -55 C to +150 C (typical) —
Diode Family / Part Series SS0520-SS0540 (Low-Vf Schottky) —
حالة RoHS Compliant (Pb-free matte tin finish) Compliant
Packaging Tape and Reel (R1) —
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C (junction, typical)
عدد الأطراف — 3
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
مستوى MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
خالٍ من الهالوجين — Yes (Infineon 'green' package)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر