SS0530 vs BSS126H6327XTSA2 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار SS0530 توسط Panjit و BSS126H6327XTSA2 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر SS0530 BSS126H6327XTSA2
برند Panjit Infineon
دسته‌بندی Diodes MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Panjit International Inc. —
Part Number SS0530 (ordering code SS0530_R1_00001) —
Device Type Schottky Barrier Diode —
Configuration Single Single
بسته‌بندی SOD-123 SOT-23-3 (PG-SOT23)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 30 V —
Maximum DC Blocking Voltage (VR) 30 V —
Maximum Average Rectified Forward Current (IF(AV)) 0.5 A —
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) 5.0 A —
Forward Voltage Drop (Vf) [DATA_NEEDED: Vf at rated IF] —
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: IR at rated VR] —
محدوده دمای اتصال کاری -55 C to +150 C (typical for SOD-123 Schottky, verify per datasheet) —
Storage Temperature Range -55 C to +150 C (typical) —
Diode Family / Part Series SS0520-SS0540 (Low-Vf Schottky) —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free matte tin finish) Compliant
Packaging Tape and Reel (R1) —
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (junction, typical)
تعداد پایه — 3
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
سطح MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
بدون هالوژن — Yes (Infineon 'green' package)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت