SS0530 vs BSS126H6327XTSA2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של SS0530 מאת Panjit ו BSS126H6327XTSA2 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר SS0530 BSS126H6327XTSA2
מותג Panjit Infineon
קטגוריה Diodes MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Panjit International Inc. —
Part Number SS0530 (ordering code SS0530_R1_00001) —
Device Type Schottky Barrier Diode —
Configuration Single Single
מארז SOD-123 SOT-23-3 (PG-SOT23)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 30 V —
Maximum DC Blocking Voltage (VR) 30 V —
Maximum Average Rectified Forward Current (IF(AV)) 0.5 A —
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) 5.0 A —
Forward Voltage Drop (Vf) [DATA_NEEDED: Vf at rated IF] —
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: IR at rated VR] —
טווח טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +150 C (typical for SOD-123 Schottky, verify per datasheet) —
Storage Temperature Range -55 C to +150 C (typical) —
Diode Family / Part Series SS0520-SS0540 (Low-Vf Schottky) —
סטטוס RoHS Compliant (Pb-free matte tin finish) Compliant
Packaging Tape and Reel (R1) —
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +150C (junction, typical)
מספר פינים — 3
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
רמת MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
נטול הלוגנים — Yes (Infineon 'green' package)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר