SS0530 vs BSS126H6327XTSA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma SS0530 tarafından Panjit ve BSS126H6327XTSA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre SS0530 BSS126H6327XTSA2
Marka Panjit Infineon
Kategori Diodes MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Panjit International Inc. —
Part Number SS0530 (ordering code SS0530_R1_00001) —
Device Type Schottky Barrier Diode —
Configuration Single Single
Paket SOD-123 SOT-23-3 (PG-SOT23)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM) 30 V —
Maximum DC Blocking Voltage (VR) 30 V —
Maximum Average Rectified Forward Current (IF(AV)) 0.5 A —
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current (IFSM) 5.0 A —
Forward Voltage Drop (Vf) [DATA_NEEDED: Vf at rated IF] —
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: IR at rated VR] —
İşletim Jant Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C (typical for SOD-123 Schottky, verify per datasheet) —
Storage Temperature Range -55 C to +150 C (typical) —
Diode Family / Part Series SS0520-SS0540 (Low-Vf Schottky) —
RoHS Durumu Compliant (Pb-free matte tin finish) Compliant
Packaging Tape and Reel (R1) —
FET Type — N-Channel Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 600 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 21 mA
Power Dissipation (PD) at Ta — 500 mW
On-Resistance (RDS(on)) Max — 500 ohm (typical for depletion-mode)
Gate-Source Voltage (VGS) Range — [DATA_NEEDED: VGS max/min]
Technology — SIPMOS (DMOS)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +150C (junction, typical)
Pin Sayısı — 3
Channel Mode — Depletion (normally-on at VGS = 0)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Lead-Free — Yes
Klorürsüz — Yes (Infineon 'green' package)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin