STP20NF20L vs IRF640NPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ STP20NF20L بواسطة STMicroelectronics و IRF640NPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | STP20NF20L | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | STMicroelectronics | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | STripFET™ (planar silicon gate) | HEXFET (5th Generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.10 Ω (max) | — |
| Power Dissipation (PD) | 110 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge (Qg) | Low gate charge (STripFET™ optimized) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | Minimized by STripFET™ process | — |
| العلبة | TO-220 (through-hole, 3-lead) | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| نوع التركيب | Through Hole | Through Hole |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix) |
| Process Technology | STripFET™ (low Qg, low Ciss) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 150 W |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 44.7 nC |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +150C |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |