STP20NF20L vs IRF640NPBF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از STP20NF20L بذریعہ STMicroelectronics اور IRF640NPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
STMicroelectronics
STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics
STP20NF20L ✓ فعال
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | STP20NF20L | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| برانڈ | STMicroelectronics | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | STripFET™ (planar silicon gate) | HEXFET (5th Generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.10 Ω (max) | — |
| Power Dissipation (PD) | 110 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge (Qg) | Low gate charge (STripFET™ optimized) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | Minimized by STripFET™ process | — |
| پیکیج | TO-220 (through-hole, 3-lead) | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Through Hole | Through Hole |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix) |
| Process Technology | STripFET™ (low Qg, low Ciss) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 150 W |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 44.7 nC |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | — | -55C to +150C |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |