STP20NF20L vs IRF640NPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना STP20NF20L द्वारा STMicroelectronics और IRF640NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
STMicroelectronics
STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics
STP20NF20L ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | STP20NF20L | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | STMicroelectronics | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | STripFET™ (planar silicon gate) | HEXFET (5th Generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.10 Ω (max) | — |
| Power Dissipation (PD) | 110 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge (Qg) | Low gate charge (STripFET™ optimized) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | Minimized by STripFET™ process | — |
| पैकेज | TO-220 (through-hole, 3-lead) | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| माउंटिंग प्रकार | Through Hole | Through Hole |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix) |
| Process Technology | STripFET™ (low Qg, low Ciss) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 150 W |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 44.7 nC |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |