STP20NF20L vs IRF640NPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা STP20NF20L নির্দিষ্ট STMicroelectronics ও IRF640NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
STMicroelectronics
STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics
STP20NF20L ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | STP20NF20L | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | STMicroelectronics | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | STripFET™ (planar silicon gate) | HEXFET (5th Generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 18 A (Tc) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 0.10 Ω (max) | — |
| Power Dissipation (PD) | 110 W (Tc) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] | — |
| Gate Charge (Qg) | Low gate charge (STripFET™ optimized) | — |
| Input Capacitance (Ciss) | Minimized by STripFET™ process | — |
| প্যাকেজ | TO-220 (through-hole, 3-lead) | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Through Hole |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: TJ min/max] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes (PBF suffix) |
| Process Technology | STripFET™ (low Qg, low Ciss) | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 150 W |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 44.7 nC |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55C to +150C |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |