STP20NF20L vs IRF640NPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma STP20NF20L tarafından STMicroelectronics ve IRF640NPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

STMicroelectronics
STP20NF20L STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics

STP20NF20L - 200V 18A N-Ch STripFET MOSFET | STMicroelectronics

STP20NF20L ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre STP20NF20L IRF640NPBF
Marka STMicroelectronics Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
FET Type N-Channel —
Technology STripFET™ (planar silicon gate) HEXFET (5th Generation)
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) 18 A (Tc) —
On-Resistance (RDS(on)) 0.10 Ω (max) —
Power Dissipation (PD) 110 W (Tc) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max] —
Gate Charge (Qg) Low gate charge (STripFET™ optimized) —
Input Capacitance (Ciss) Minimized by STripFET™ process —
Paket TO-220 (through-hole, 3-lead) TO-220AB (through-hole, 3-pin)
Montaj Türü Through Hole Through Hole
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: TJ min/max] —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes (PBF suffix)
Process Technology STripFET™ (low Qg, low Ciss) —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 18 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) — 150 mOhm max at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 150 W
Total Gate Charge (Qg) — 44.7 nC
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Transistor Türü — N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Energy Rated — Yes
dv/dt Rating — Dynamic, rated
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin