STS7DNH3LL vs BSC0901NSATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ STS7DNH3LL بواسطة STMicroelectronics و BSC0901NSATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل STS7DNH3LL BSC0901NSATMA1
العلامة التجارية STMicroelectronics Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer STMicroelectronics Infineon Technologies
Product Type Dual N-Channel Power MOSFET —
Technology STripFET III (trench gate) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 7 A per channel —
On-Resistance RDS(on) typ. 0.018 Ω at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
العلبة SO-8 TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 °C to +175 °C —
Power Dissipation (per channel) [DATA_NEEDED: PD per channel] —
Channel Count 2 (Dual) —
Channel Polarity N-Channel —
حالة RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +150C
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر