STS7DNH3LL vs BSC0901NSATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של STS7DNH3LL מאת STMicroelectronics ו BSC0901NSATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר STS7DNH3LL BSC0901NSATMA1
מותג STMicroelectronics Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer STMicroelectronics Infineon Technologies
Product Type Dual N-Channel Power MOSFET —
Technology STripFET III (trench gate) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 7 A per channel —
On-Resistance RDS(on) typ. 0.018 Ω at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
מארז SO-8 TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טמפרטורת צומת פעולה -55 °C to +175 °C —
Power Dissipation (per channel) [DATA_NEEDED: PD per channel] —
Channel Count 2 (Dual) —
Channel Polarity N-Channel —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
טווח טמפרטורת פעולה — -55C to +150C
רמת רגישות ללחות (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר