STS7DNH3LL vs BSC0901NSATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của STS7DNH3LL bằng STMicroelectronics và BSC0901NSATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

STMicroelectronics
STS7DNH3LL STS7DNH3LL - Dual N-Channel 30V MOSFET, 0.018Ω, 7A | STMicroelectronics

STS7DNH3LL - Dual N-Channel 30V MOSFET, 0.018Ω, 7A | STMicroelectronics

STS7DNH3LL ✓ Hoạt động
Infineon
BSC0901NSATMA1 BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-Channel MOSFET | Infineon

BSC0901NSATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số STS7DNH3LL BSC0901NSATMA1
Thương hiệu STMicroelectronics Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer STMicroelectronics Infineon Technologies
Product Type Dual N-Channel Power MOSFET —
Technology STripFET III (trench gate) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 7 A per channel —
On-Resistance RDS(on) typ. 0.018 Ω at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Hộp SO-8 TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ mối nối hoạt động -55 °C to +175 °C —
Power Dissipation (per channel) [DATA_NEEDED: PD per channel] —
Channel Count 2 (Dual) —
Channel Polarity N-Channel —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C
Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá