STS7DNH3LL vs BSC0901NSATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار STS7DNH3LL توسط STMicroelectronics و BSC0901NSATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر STS7DNH3LL BSC0901NSATMA1
برند STMicroelectronics Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer STMicroelectronics Infineon Technologies
Product Type Dual N-Channel Power MOSFET —
Technology STripFET III (trench gate) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 7 A per channel —
On-Resistance RDS(on) typ. 0.018 Ω at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
بسته‌بندی SO-8 TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای اتصال کاری -55 °C to +175 °C —
Power Dissipation (per channel) [DATA_NEEDED: PD per channel] —
Channel Count 2 (Dual) —
Channel Polarity N-Channel —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
محدوده دمای کاری — -55C to +150C
سطح حساسیت به رطوبت (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت