STS7DNH3LL vs BSC0901NSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از STS7DNH3LL بذریعہ STMicroelectronics اور BSC0901NSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر STS7DNH3LL BSC0901NSATMA1
برانڈ STMicroelectronics Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer STMicroelectronics Infineon Technologies
Product Type Dual N-Channel Power MOSFET —
Technology STripFET III (trench gate) N-Channel Trench MOSFET (OptiMOS)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) 7 A per channel —
On-Resistance RDS(on) typ. 0.018 Ω at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) value] [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
پیکیج SO-8 TDSON-8-5 (PG-TDSON-8-5) / SuperSO8 5x6 mm
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 °C to +175 °C —
Power Dissipation (per channel) [DATA_NEEDED: PD per channel] —
Channel Count 2 (Dual) —
Channel Polarity N-Channel —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Part Family — OptiMOS 30V
Drain-to-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 28 A
On-State Resistance RDS(on) Max at VGS=10V — 1.9 mOhm
On-State Resistance RDS(on) Typ at VGS=10V — [DATA_NEEDED: RDS(on) typical]
Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg total]
Avalanche Energy (EAS) — 80 mJ
Power Dissipation (PD) at Tc — 69 W
Power Dissipation (PD) at Ta — 2.5 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C
نمی حساسیت کی سطح (MSL) — 1
Built-in Body Diode — Yes
Configuration — Single N-Channel with Built-in Diode

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں