TLF11251LDXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ TLF11251LDXUMA1 بواسطة Infineon و 1EDN7126GXTMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل TLF11251LDXUMA1 1EDN7126GXTMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Half-Bridge Gate Driver Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
تكوين الخرج Half-Bridge (1 high-side + 1 low-side) —
نوع الخرج Non-Inverting —
Peak Output Current 2.5 A (source/sink) —
زمن الصعود 60 ns (typical) —
زمن السقوط 60 ns (typical) —
Supply Voltage Range 3.5 V to 7 V —
Number of Drivers 1 (half-bridge) —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL (non-inverting) 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C (AEC-Q100 Grade 1) —
العلبة PG-TSON-10-2 (10-pin TSON with exposed pad) PG-VSON-10-4
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q100 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Protection Features Shoot-through protection, UVLO —
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر