TLF11251LDXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של TLF11251LDXUMA1 מאת Infineon ו 1EDN7126GXTMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר TLF11251LDXUMA1 1EDN7126GXTMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
פונקציה Half-Bridge Gate Driver Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
תצורת מוצא Half-Bridge (1 high-side + 1 low-side) —
סוג פלט Non-Inverting —
Peak Output Current 2.5 A (source/sink) —
זמן עלייה 60 ns (typical) —
זמן ירידה 60 ns (typical) —
Supply Voltage Range 3.5 V to 7 V —
Number of Drivers 1 (half-bridge) —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL (non-inverting) 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
טמפרטורת פעולה -40 C to +125 C (AEC-Q100 Grade 1) —
מארז PG-TSON-10-2 (10-pin TSON with exposed pad) PG-VSON-10-4
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
רמת MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q100 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Protection Features Shoot-through protection, UVLO —
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
טווח טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר