TLF11251LDXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma TLF11251LDXUMA1 tarafından Infineon ve 1EDN7126GXTMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre TLF11251LDXUMA1 1EDN7126GXTMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Half-Bridge Gate Driver Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
Çıkış Konfigürasyonu Half-Bridge (1 high-side + 1 low-side) —
Çıkış Türü Non-Inverting —
Peak Output Current 2.5 A (source/sink) —
Artış Süresi 60 ns (typical) —
Düşüş Süresi 60 ns (typical) —
Supply Voltage Range 3.5 V to 7 V —
Number of Drivers 1 (half-bridge) —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL (non-inverting) 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
İşletim Sıcaklığı -40 C to +125 C (AEC-Q100 Grade 1) —
Paket PG-TSON-10-2 (10-pin TSON with exposed pad) PG-VSON-10-4
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q100 —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Protection Features Shoot-through protection, UVLO —
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin