TLF11251LDXUMA1 vs 1EDN7126GXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار TLF11251LDXUMA1 توسط Infineon و 1EDN7126GXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر TLF11251LDXUMA1 1EDN7126GXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
عملکرد Half-Bridge Gate Driver Single-channel TDI gate driver for GaN HEMT and Si MOSFET
پیکربندی خروجی Half-Bridge (1 high-side + 1 low-side) —
نوع خروجی Non-Inverting —
Peak Output Current 2.5 A (source/sink) —
زمان صعود 60 ns (typical) —
زمان افت 60 ns (typical) —
Supply Voltage Range 3.5 V to 7 V —
Number of Drivers 1 (half-bridge) —
Input Logic Compatibility CMOS / TTL (non-inverting) 3.3 V / 5 V TTL/CMOS (TDI)
دمای کاری -40 C to +125 C (AEC-Q100 Grade 1) —
بسته‌بندی PG-TSON-10-2 (10-pin TSON with exposed pad) PG-VSON-10-4
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Automotive Qualification AEC-Q100 —
وضعیت RoHS Compliant Compliant
Protection Features Shoot-through protection, UVLO —
Configuration — Non-Inverting
Channel Type — Single
Driven Supply Voltage — [DATA_NEEDED: VCC max value]
Peak Source Current — 1.5 A
Peak Sink Current — 1.5 A
Common-Mode Voltage (CMR) — 200 V
Input Type — Truly Differential Input (TDI)
Propagation Delay (Typ.) — [DATA_NEEDED: tpd typical value]
Rise / Fall Time (Typ.) — [DATA_NEEDED: tr / tf typical value]
محدوده دمای کاری — -40C to +125C
Reach — Compliant
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت