BSS127H6327XTSA2 vs BSS87H6327FTSA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS127H6327XTSA2 নির্দিষ্ট Infineon ও BSS87H6327FTSA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSS127H6327XTSA2 BSS87H6327FTSA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) 260 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55 C to +150 C —
প্যাকেজ SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিন সংখ্যা 3 3 (Gate / Drain / Source)
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS স্ট্যাটাস Compliant (lead-free) Compliant
হ্যালোজেন মুক্ত Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট