BSS127H6327XTSA2 vs BSS87H6327FTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSS127H6327XTSA2 بذریعہ Infineon اور BSS87H6327FTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ فعال
Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSS127H6327XTSA2 BSS87H6327FTSA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) 260 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت -55 C to +150 C —
پیکیج SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 3 (Gate / Drain / Source)
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
RoHS اسٹیٹس Compliant (lead-free) Compliant
ہیلوجن فری Yes, per IEC 61249-2-21 —
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں