BSS127H6327XTSA2 vs BSS87H6327FTSA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار BSS127H6327XTSA2 توسط Infineon و BSS87H6327FTSA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 - 600V N-Ch MOSFET, 21mA, SOT-23 | Infineon

BSS127H6327XTSA2 ✓ فعال
Infineon
BSS87H6327FTSA1 BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 - 240V N-Ch MOSFET, 260mA, SOT-89 | Infineon

BSS87H6327FTSA1 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر BSS127H6327XTSA2 BSS87H6327FTSA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel SIPMOS, enhancement mode N-Channel enhancement-mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 240 V
Continuous Drain Current (ID) 21 mA (Ta) 260 mA (Ta)
Pulsed Drain Current (ID,pulse) [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4.5 V (logic level, rated) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
On-State Resistance (RDS(on)) max 500 ohm at ID = 21 mA —
Total Power Dissipation (Ptot) 500 mW (Ta) —
دمای اتصال کاری -55 C to +150 C —
بسته‌بندی SOT-23-3 (PG-SOT23) PG-SOT89-4-2 (SOT-89)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
تعداد پایه 3 3 (Gate / Drain / Source)
dv/dt Rated Yes —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 qualified
وضعیت RoHS Compliant (lead-free) Compliant
بدون هالوژن Yes, per IEC 61249-2-21 —
سطح MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Power Dissipation (PD) — 1 W (Ta)
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 6 ohm max at VGS=10V
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
محدوده دمای کاری — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / Pb-Free — Yes (Pb-free plating)
Process Technology — Vertical DMOS

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت