BSS127H6327XTSA2 vs BSS87H6327FTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS127H6327XTSA2 tarafından Infineon ve BSS87H6327FTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSS127H6327XTSA2 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| FET Type | N-Channel SIPMOS, enhancement mode | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 21 mA (Ta) | 260 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V (logic level, rated) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 500 ohm at ID = 21 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW (Ta) | — |
| İşletim Jant Sıcaklığı | -55 C to +150 C | — |
| Paket | SOT-23-3 (PG-SOT23) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Pin Sayısı | 3 | 3 (Gate / Drain / Source) |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Durumu | Compliant (lead-free) | Compliant |
| Klorürsüz | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| MSL Seviyesi | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |