BSS127H6327XTSA2 vs BSS87H6327FTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS127H6327XTSA2 بواسطة Infineon و BSS87H6327FTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSS127H6327XTSA2 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| FET Type | N-Channel SIPMOS, enhancement mode | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 21 mA (Ta) | 260 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V (logic level, rated) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 500 ohm at ID = 21 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW (Ta) | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -55 C to +150 C | — |
| العلبة | SOT-23-3 (PG-SOT23) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الأطراف | 3 | 3 (Gate / Drain / Source) |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| حالة RoHS | Compliant (lead-free) | Compliant |
| خالٍ من الهالوجين | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |