BSS127H6327XTSA2 vs BSS87H6327FTSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSS127H6327XTSA2 द्वारा Infineon और BSS87H6327FTSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSS127H6327XTSA2 | BSS87H6327FTSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel SIPMOS, enhancement mode | N-Channel enhancement-mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 240 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 21 mA (Ta) | 260 mA (Ta) |
| Pulsed Drain Current (ID,pulse) | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4.5 V (logic level, rated) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-State Resistance (RDS(on)) max | 500 ohm at ID = 21 mA | — |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 500 mW (Ta) | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 C to +150 C | — |
| पैकेज | SOT-23-3 (PG-SOT23) | PG-SOT89-4-2 (SOT-89) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पिन काउंट | 3 | 3 (Gate / Drain / Source) |
| dv/dt Rated | Yes | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 qualified |
| RoHS स्थिति | Compliant (lead-free) | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes, per IEC 61249-2-21 | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Power Dissipation (PD) | — | 1 W (Ta) |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 6 ohm max at VGS=10V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | +/-20 V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / Pb-Free | — | Yes (Pb-free plating) |
| Process Technology | — | Vertical DMOS |