DMN3190LDW-7 vs FDMC89521L তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা DMN3190LDW-7 নির্দিষ্ট Diodes Incorporated ও FDMC89521L নির্দিষ্ট onsemi. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 ✓ সক্রিয়
onsemi
FDMC89521L FDMC89521L - Dual N-Channel 60V 8.2A MOSFET | onsemi

FDMC89521L - Dual N-Channel 60V 8.2A MOSFET | onsemi

FDMC89521L ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার DMN3190LDW-7 FDMC89521L
ব্র্যান্ড Diodes Incorporated onsemi
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
FET Type Dual N-Channel Enhancement Mode 2 × N-Channel (Dual)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1 A —
Power Dissipation (PD) 320 mW —
প্যাকেজ SOT-363 (SC-70-6) 6-pin 8-Power33 (MLP-8 / Power 33, 3 mm × 3 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -55C to +150C —
Configuration Dual, independent drains Dual independent drain-source pairs
Technology Silicon N-Channel MOSFET POWERTRENCH shielded-gate trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
MSL লেভেল 1 (unlimited) 1 (per onsemi product page)
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — onsemi (Fairchild Semiconductor)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C — 8.2 A
Continuous Drain Current (Id) @ TC=25C — [DATA_NEEDED: TC-rated Id]
On-Resistance Rds(on) @ Vgs=10V — 17 mΩ
Gate-Source Voltage (Vgs) — ±20 V
Power Dissipation (TA=25C) — 1.9 W
Power Dissipation (TC=25C) — 16 W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +150C (Tj)
Body Diode — Integrated N-channel body diode

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট