DMN3190LDW-7 vs FDMC89521L तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना DMN3190LDW-7 द्वारा Diodes Incorporated और FDMC89521L द्वारा onsemi. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363
DMN3190LDW-7 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | DMN3190LDW-7 | FDMC89521L |
|---|---|---|
| ब्रांड | Diodes Incorporated | onsemi |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | Dual N-Channel Enhancement Mode | 2 × N-Channel (Dual) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 1 A | — |
| Power Dissipation (PD) | 320 mW | — |
| पैकेज | SOT-363 (SC-70-6) 6-pin | 8-Power33 (MLP-8 / Power 33, 3 mm × 3 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +150C | — |
| Configuration | Dual, independent drains | Dual independent drain-source pairs |
| Technology | Silicon N-Channel MOSFET | POWERTRENCH shielded-gate trench MOSFET |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | 1 (per onsemi product page) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Factory Pack Quantity | 3000 | — |
| Manufacturer | — | onsemi (Fairchild Semiconductor) |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C | — | 8.2 A |
| Continuous Drain Current (Id) @ TC=25C | — | [DATA_NEEDED: TC-rated Id] |
| On-Resistance Rds(on) @ Vgs=10V | — | 17 mΩ |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | — | ±20 V |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 1.9 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 16 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C (Tj) |
| Body Diode | — | Integrated N-channel body diode |