DMN3190LDW-7 vs FDMC89521L موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از DMN3190LDW-7 بذریعہ Diodes Incorporated اور FDMC89521L بذریعہ onsemi. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Diodes Incorporated
DMN3190LDW-7 DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 - 30V Dual N-Channel MOSFET Array | Diodes Inc | SOT-363

DMN3190LDW-7 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر DMN3190LDW-7 FDMC89521L
برانڈ Diodes Incorporated onsemi
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
FET Type Dual N-Channel Enhancement Mode 2 × N-Channel (Dual)
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Gate-Source Voltage (VGS) 20 V —
Continuous Drain Current (ID) 1 A —
Power Dissipation (PD) 320 mW —
پیکیج SOT-363 (SC-70-6) 6-pin 8-Power33 (MLP-8 / Power 33, 3 mm × 3 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت -55C to +150C —
Configuration Dual, independent drains Dual independent drain-source pairs
Technology Silicon N-Channel MOSFET POWERTRENCH shielded-gate trench MOSFET
Channel Mode Enhancement —
MSL لیول 1 (unlimited) 1 (per onsemi product page)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Factory Pack Quantity 3000 —
Manufacturer — onsemi (Fairchild Semiconductor)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) @ TA=25C — 8.2 A
Continuous Drain Current (Id) @ TC=25C — [DATA_NEEDED: TC-rated Id]
On-Resistance Rds(on) @ Vgs=10V — 17 mΩ
Gate-Source Voltage (Vgs) — ±20 V
Power Dissipation (TA=25C) — 1.9 W
Power Dissipation (TC=25C) — 16 W
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55C to +150C (Tj)
Body Diode — Integrated N-channel body diode

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں