H5AN4G6NBJR-UHC vs MT40A256M16GE-083E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN4G6NBJR-UHC নির্দিষ্ট SK hynix ও MT40A256M16GE-083E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ জীবনকালের সমাপ্তিবিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN4G6NBJR-UHC | MT40A256M16GE-083E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | উৎপাদন শেষ |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit | — |
| সংগঠন | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Technology | CMOS | CMOS DRAM |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| প্যাকেজ | FBGA-96 (PBGA-96) | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| ইন্টারফেস | — | Parallel |
| ECCN | — | EAR99 |
| Country of Origin | — | China |
| হ্যালোজেন মুক্ত | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |
| Introduction Date | — | August 2017 |
| Lifecycle | — | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) |
| CAS লেটেন্সি | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |