H5AN4G6NBJR-UHC vs MT40A256M16GE-083E השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5AN4G6NBJR-UHC מאת SK hynix ו MT40A256M16GE-083E מאת Micron Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ סוף ייצורהשוואת מפרטים
| פרמטר | H5AN4G6NBJR-UHC | MT40A256M16GE-083E |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | Micron Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | סוף חיים |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| גודל זיכרון | 4 Gbit | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| Technology | CMOS | CMOS DRAM |
| טמפרטורת פעולה | -40C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| מארז | FBGA-96 (PBGA-96) | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Self Refresh | Auto self-refresh | — |
| Data Mask Function | Yes (DM) | — |
| Asynchronous Reset | Yes (RESET_n) | — |
| On-Die Termination | Dynamic ODT | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes (command/address CRC) | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| מתח אספקה | — | 1.2 V |
| ממשק | — | Parallel |
| ECCN | — | EAR99 |
| Country of Origin | — | China |
| נטול הלוגנים | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |
| Introduction Date | — | August 2017 |
| Lifecycle | — | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) |
| השהיית CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh rate] |