H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A4G085WD-BCTD তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5AN4G8NBJR-UHC নির্দিষ্ট SK hynix ও K4A4G085WD-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5AN4G8NBJR-UHC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| সংগঠন | 512M x 8 | 512M x 8 |
| ডেটা রেট | 2400 Mbps (PC2400) | 2666 Mbps/pin |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 1.2 V | 1.2 V |
| ইন্টারফেস | DDR4 (JEDEC) | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| প্যাকেজ | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Rohs Code: Yes) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| CAS লেটেন্সি | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| MSL লেভেল | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |