H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A4G085WD-BCTD तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN4G8NBJR-UHC द्वारा SK hynix और K4A4G085WD-BCTD द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN4G8NBJR-UHC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| संगठन | 512M x 8 | 512M x 8 |
| डेटा दर | 2400 Mbps (PC2400) | 2666 Mbps/pin |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.2 V | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (JEDEC) | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| पैकेज | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Rohs Code: Yes) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |