H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A4G085WD-BCTD مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN4G8NBJR-UHC توسط SK hynix و K4A4G085WD-BCTD توسط Samsung Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN4G8NBJR-UHC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | Samsung Electronics |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| سازمان | 512M x 8 | 512M x 8 |
| نرخ داده | 2400 Mbps (PC2400) | 2666 Mbps/pin |
| ولتاژ تغذیه | 1.2 V | 1.2 V |
| رابط | DDR4 (JEDEC) | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| بسته‌بندی | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| وضعیت RoHS | Compliant (Rohs Code: Yes) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| دمای کاری | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| تأخیر CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |