H5AN4G8NBJR-UHC vs K4A4G085WD-BCTD موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN4G8NBJR-UHC بذریعہ SK hynix اور K4A4G085WD-BCTD بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN4G8NBJR-UHC | K4A4G085WD-BCTD |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| تنظیم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 Mbps (PC2400) | 2666 Mbps/pin |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2 V |
| انٹرفیس | DDR4 (JEDEC) | DDR4 (JEDEC-compatible) |
| پیکیج | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) | 78-ball FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Lifecycle Code | Active | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant (Rohs Code: Yes) | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] |
| REACH Compliance | Compliant | — |
| Manufacturer | SK Hynix Inc. | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| CAS لیٹنسی | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] | — |
| Die Generation | — | D-die |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Class | — | DDR4-2666 (PC4-21300) |
| Bank Architecture | — | DDR4 bank-group architecture |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| DLL | — | Yes |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |