H5ANAG8NCMR-VKC vs K4AAG165WM-BCRC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5ANAG8NCMR-VKC নির্দিষ্ট SK hynix ও K4AAG165WM-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

SK hynix
H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার H5ANAG8NCMR-VKC K4AAG165WM-BCRC
ব্র্যান্ড SK hynix Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
মেমরি সাইজ 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
ডেটা রেট 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
প্যাকেজ FBGA-78 96-ball FBGA
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) —
Power Class Normal Power —
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
CAS লেটেন্সি [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Density — 16 Gb
সংগঠন — 1G x 16
ইন্টারফেস — DDR4 (SSTL-12)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট