H5ANAG8NCMR-VKC vs K4AAG165WM-BCRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5ANAG8NCMR-VKC द्वारा SK hynix और K4AAG165WM-BCRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5ANAG8NCMR-VKC | K4AAG165WM-BCRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| डेटा दर | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| पैकेज | FBGA-78 | 96-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | VK (per SK hynix speed-bin suffix) | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Bank Groups | 4 | — |
| Banks Total | 16 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Manufacturer Process | CMOS DRAM | — |
| Density | — | 16 Gb |
| संगठन | — | 1G x 16 |
| इंटरफ़ेस | — | DDR4 (SSTL-12) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] |