H5ANAG8NCMR-VKC vs K4AAG165WM-BCRC Comparación
Comparación detallada lado a lado de H5ANAG8NCMR-VKC por SK hynix y K4AAG165WM-BCRC por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | H5ANAG8NCMR-VKC | K4AAG165WM-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | SK hynix | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Velocidad de datos | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Encapsulado | FBGA-78 | 96-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | VK (per SK hynix speed-bin suffix) | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Bank Groups | 4 | — |
| Banks Total | 16 | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Manufacturer Process | CMOS DRAM | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organización de memoria | — | 1G x 16 |
| Interfaz | — | DDR4 (SSTL-12) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] |