H5ANAG8NCMR-VKC vs K4AAG165WM-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de H5ANAG8NCMR-VKC par SK hynix et K4AAG165WM-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | H5ANAG8NCMR-VKC | K4AAG165WM-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | SK hynix | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Débit de données | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Boîtier | FBGA-78 | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | VK (per SK hynix speed-bin suffix) | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Bank Groups | 4 | — |
| Banks Total | 16 | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Manufacturer Process | CMOS DRAM | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 1G x 16 |
| Interface | — | DDR4 (SSTL-12) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] |