H5ANAG8NCMR-VKC vs K4AAG165WM-BCRC So sánh
So sánh chi tiết song song của H5ANAG8NCMR-VKC bằng SK hynix và K4AAG165WM-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5ANAG8NCMR-VKC | K4AAG165WM-BCRC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 2G x 8 | — |
| Tốc độ dữ liệu | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.2 V | — |
| Hộp | FBGA-78 | 96-ball FBGA |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Speed Grade | VK (per SK hynix speed-bin suffix) | — |
| Power Class | Normal Power | — |
| Bank Groups | 4 | — |
| Banks Total | 16 | — |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] |
| Latency CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Packaging | [DATA_NEEDED: standard packing quantity] | — |
| Manufacturer Process | CMOS DRAM | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Tổ chức | — | 1G x 16 |
| Giao diện | — | DDR4 (SSTL-12) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] |