H5ANAG8NCMR-VKC vs K4AAG165WM-BCRC موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5ANAG8NCMR-VKC بذریعہ SK hynix اور K4AAG165WM-BCRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5ANAG8NCMR-VKC H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC - 16Gb DDR4-2666 x8 DRAM FBGA | SK hynix

H5ANAG8NCMR-VKC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5ANAG8NCMR-VKC K4AAG165WM-BCRC
برانڈ SK hynix Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
میموری سائز 16 Gb —
Memory Organization 2G x 8 —
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
I/O Voltage (VDDQ) 1.2 V —
پیکیج FBGA-78 96-ball FBGA
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Speed Grade VK (per SK hynix speed-bin suffix) —
Power Class Normal Power —
Bank Groups 4 —
Banks Total 16 —
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS latency for VK speed bin] —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Packaging [DATA_NEEDED: standard packing quantity] —
Manufacturer Process CMOS DRAM —
Density — 16 Gb
تنظیم — 1G x 16
انٹرفیس — DDR4 (SSTL-12)
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں