H5TC4G63AFR-PBA vs K4A8G165WB-BIRC তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা H5TC4G63AFR-PBA নির্দিষ্ট SK hynix ও K4A8G165WB-BIRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BIRC ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | H5TC4G63AFR-PBA | K4A8G165WB-BIRC |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | SK hynix | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | — | In Stock |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $3.98 | $32.50 |
| মেমরি টাইপ | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4Gb | 8 Gb |
| সংগঠন | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| ডেটা রেট | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 2400 Mbps |
| প্যাকেজ | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| ইন্টারফেস | 16-bit I/O | Pseudo-open-drain |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | — | 1.2 V |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | — | -40°C to +95°C |
| CAS লেটেন্সি | — | 15, 16, 17 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Row Address | — | 16K |
| Column Address | — | 1K |