H5TC4G63AFR-PBA vs K4A8G165WB-BIRC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-PBA द्वारा SK hynix और K4A8G165WB-BIRC द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BIRC ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5TC4G63AFR-PBA | K4A8G165WB-BIRC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| स्टॉक स्थिति | — | In Stock |
| यूनिट मूल्य (USD) | $3.98 | $32.50 |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4Gb | 8 Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 2400 Mbps |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| इंटरफ़ेस | 16-bit I/O | Pseudo-open-drain |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -40°C to +95°C |
| CAS लेटेंसी | — | 15, 16, 17 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Row Address | — | 16K |
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