H5TC4G63AFR-PBA vs K4A8G165WB-BIRC So sánh
So sánh chi tiết song song của H5TC4G63AFR-PBA bằng SK hynix và K4A8G165WB-BIRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BIRC - 8Gb DDR4 SDRAM x16 2400Mbps | Samsung
K4A8G165WB-BIRC ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5TC4G63AFR-PBA | K4A8G165WB-BIRC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | — | In Stock |
| Giá đơn vị (USD) | $3,98 | $32,50 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4Gb | 8 Gb |
| Tổ chức | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 2400 Mbps |
| Hộp | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| Giao diện | 16-bit I/O | Pseudo-open-drain |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Điện áp cung cấp | — | 1.2 V |
| Nhiệt độ hoạt động | — | -40°C to +95°C |
| Latency CAS | — | 15, 16, 17 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Row Address | — | 16K |
| Column Address | — | 1K |