H5TC4G63AFR-PBA vs K4A8G165WB-BIRC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5TC4G63AFR-PBA بذریعہ SK hynix اور K4A8G165WB-BIRC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5TC4G63AFR-PBA | K4A8G165WB-BIRC |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| اسٹاک کی حالت | — | In Stock |
| فی یونٹ قیمت (USD) | $3.98 | $32.50 |
| میموری ٹائپ | DDR3L SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4Gb | 8 Gb |
| تنظیم | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| ڈیٹا ریٹ | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 2400 Mbps |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 96-FBGA |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| انٹرفیس | 16-bit I/O | Pseudo-open-drain |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| سپلائی وولٹیج | — | 1.2 V |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | — | -40°C to +95°C |
| CAS لیٹنسی | — | 15, 16, 17 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Row Address | — | 16K |
| Column Address | — | 1K |