IPB200N25N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPB200N25N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB107N20N3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPB200N25N3GATMA1 | IPB107N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| প্যাকেজ | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 64 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 300 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| পিন সংখ্যা | 3 (2+tab) | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 88 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |