IPB200N25N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB200N25N3GATMA1 द्वारा Infineon और IPB107N20N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB200N25N3GATMA1 | IPB107N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| पैकेज | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 64 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 300 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| हैलोजन फ्री | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) | — |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| पिन काउंट | 3 (2+tab) | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 88 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |