IPB200N25N3GATMA1 vs IPB107N20N3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPB200N25N3GATMA1 tarafından Infineon ve IPB107N20N3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Infineon
IPB107N20N3GATMA1 - 200V 88A OptiMOS 3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB107N20N3GATMA1 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | IPB200N25N3GATMA1 | IPB107N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | OptiMOS 3 | — |
| Transistor Türü | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Paket | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 250 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C | 64 A | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C | 300 W | — |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | 20 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/max] | — |
| Technology | OptiMOS 3 (Trench) | OptiMOS 3 trench MOSFET |
| Gate Charge (Q_g) | [DATA_NEEDED: Q_g typical] | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +175C | [DATA_NEEDED: Tj max and operating range] |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Klorürsüz | Yes (per Infineon OptiMOS family datasheet) | — |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | — |
| Pin Sayısı | 3 (2+tab) | 3 (Drain, Source, Gate) + Tab |
| Product Family | — | OptiMOS 3 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 88 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 9.6 milliohm (typical, per third-party listing) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range] |