IPD60R1K0PFD7SAUMA1 vs IPN70R2K0P7SATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IPD60R1K0PFD7SAUMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPN70R2K0P7SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | IPN70R2K0P7SATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Technology | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 4.7 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 26 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 1 Ω @ VGS=10V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | ±20 V (max gate-source) | 3.5 V (typical) |
| Gate Charge (QG) | 6 nC @ VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 230 pF @ 400 V | — |
| প্যাকেজ | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) | PG-SOT223 (3 leads + tab) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (TJ) | -55 °C to +150 °C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (full enhancement) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant (ROHS3) |
| Series | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | CoolMOS P7 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 6 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 2.0 Ω (max, VGS=10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±20 V |
| Integrated ESD Diode | — | Yes |
| MSL লেভেল | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |