IPD60R1K0PFD7SAUMA1 vs IPN70R2K0P7SATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPD60R1K0PFD7SAUMA1 بذریعہ Infineon اور IPN70R2K0P7SATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 ✓ فعال
Infineon
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 - 700V CoolMOS P7 MOSFET, 3A | Infineon

IPN70R2K0P7SATMA1 - 700V CoolMOS P7 MOSFET, 3A | Infineon

IPN70R2K0P7SATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPN70R2K0P7SATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Technology CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 700 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 4.7 A —
Power Dissipation (PD) at TC 26 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1 Ω @ VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max gate-source) 3.5 V (typical)
Gate Charge (QG) 6 nC @ VGS=10V —
Output Capacitance (Coss) 230 pF @ 400 V —
پیکیج PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) PG-SOT223 (3 leads + tab)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) -55 °C to +150 °C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (full enhancement) —
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant (ROHS3)
Series CoolMOS PFD7 consumer / superjunction —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 3 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 6 W
On-Resistance (RDS(on)) — 2.0 Ω (max, VGS=10 V)
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±20 V
Integrated ESD Diode — Yes
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں