IPD60R1K0PFD7SAUMA1 vs IPN70R2K0P7SATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IPD60R1K0PFD7SAUMA1 bằng Infineon và IPN70R2K0P7SATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 - 600V 1Ω CoolMOS PFD7 | Infineon | DPAK

IPD60R1K0PFD7SAUMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IPN70R2K0P7SATMA1 IPN70R2K0P7SATMA1 - 700V CoolMOS P7 MOSFET, 3A | Infineon

IPN70R2K0P7SATMA1 - 700V CoolMOS P7 MOSFET, 3A | Infineon

IPN70R2K0P7SATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IPD60R1K0PFD7SAUMA1 IPN70R2K0P7SATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Technology CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode N-Channel Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V 700 V
Continuous Drain Current (ID) at TC 4.7 A —
Power Dissipation (PD) at TC 26 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 1 Ω @ VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) ±20 V (max gate-source) 3.5 V (typical)
Gate Charge (QG) 6 nC @ VGS=10V —
Output Capacitance (Coss) 230 pF @ 400 V —
Hộp PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) PG-SOT223 (3 leads + tab)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (TJ) -55 °C to +150 °C
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V (full enhancement) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant (ROHS3)
Series CoolMOS PFD7 consumer / superjunction —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Family — CoolMOS P7
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 3 A
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) — 6 W
On-Resistance (RDS(on)) — 2.0 Ω (max, VGS=10 V)
Gate-Source Voltage (VGS max) — ±20 V
Integrated ESD Diode — Yes
Cấp MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá