IPD60R1K0PFD7SAUMA1 vs IPN70R2K0P7SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD60R1K0PFD7SAUMA1 tarafından Infineon ve IPN70R2K0P7SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPD60R1K0PFD7SAUMA1 | IPN70R2K0P7SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | CoolMOS PFD7 Superjunction (SJ) MOSFET | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 4.7 A | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 26 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 1 Ω @ VGS=10V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | ±20 V (max gate-source) | 3.5 V (typical) |
| Gate Charge (QG) | 6 nC @ VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 230 pF @ 400 V | — |
| Paket | PG-TO252-3 (DPAK, 2 leads + tab, SC-63) | PG-SOT223 (3 leads + tab) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55C to +150C (TJ) | -55 °C to +150 °C |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V (full enhancement) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant (ROHS3) |
| Series | CoolMOS PFD7 consumer / superjunction | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Family | — | CoolMOS P7 |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 3 A |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | — | 6 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 2.0 Ω (max, VGS=10 V) |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | — | ±20 V |
| Integrated ESD Diode | — | Yes |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |